Optitherm lll发射率自动测量仪
美国原装进口!
简要描述:
在CVD、MBE和MOCVD反应过程中,Optitherm lll 发射率自动测量系统通过光纤镜头和脉冲激光器可以准确地测量单个或多个晶片的温度 。
Optitherm lll 可以监测着被测光洁材料的不断变化的发射率,从而使得红外测温设备可以达到±3℃的精度。该主动式测量技术不同于传统的被动式测量技术。
Optitherm lll 通过主动式反射测量技术得到目标的发射率(E%),从而得到目标的实际温度(Te)。当接收测量红外辐射时,在同一时间,位置,波段自动测量被测物光洁表面的反射,获得准确的实际温度。微处理器以极快的速度(1ms)将这些值传递给PC,PC快速计算并记录下目标的实际温度,从而实现即时的过程控制。
Optitherm lll 可以应用在各种各样的应用中,如:生产制造、芯片加工或研究与开发等其他一系列与准确温度测量方面的应用。
专利技术:
Optitherm lll 使用了专利技术,基于红外技术的激光来测量目标的发射率及真实温度。
一个低功率的砷化镓脉冲激光器发出脉冲激光,通过特定的光路(激光通道)发射到被测目标上的测量区域,激光反射信号和红外辐射信号通过另一个光路(辐射通道)返回。激光信号(AC)在目标信号(DC)之上。监控发出的激光能量并加上几何因素(包括测量距离),Optitherm lll 可以得到被测目标的反射率及发射率。测量过程中,仅接收目标辐射出的以激光波段为中心的非常窄的带宽的波段,这使其可以在特殊应用中得到较高的精度。
Optitherm lll 内置了5种操作模式:远程控制模式,由PC通过命令操作和控制;自动模式,在一定时间内持续输出数据,时间可调;单一模式,仅适用其温度测量功能;间隔模式,在特定的时间定序内测量;离线模式,用于安装和校准功能。
● 红外辐射和发射率的自动测量
● 温度范围: 250°C- 1500°C
● 温度精度: ±3°C
● 6 个波段可选:
808、850、905、940、980和 1550nm
● 数据采样率最快可达 1 ms
● 数字接口: RS232
● 每秒钟向PC端输出70个读数
● 测量光斑最小可达0.25",大小可调
实际应用:
● 半导体薄片温度测量
● 晶片的生产和研发
● 光洁表面的测量
● 反应过程的温度测量:
CVD 反应器
MBE 反应器
MOCVD 反应器
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型号 |
波段 温度范围 |
OT-808 |
808 nm 600°C - 1500°C |
B |
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OT-850 |
850 nm 600°C - 1500°C |
OT-905 |
905 nm 550°C - 1200°C |
OT-940 |
940 nm 500°C - 1150°C |
OT-980 |
980 nm 460°C - 1100°C |
OT-1550 |
1550 nm 250°C - 800°C |
波段带宽 |
±35 nm |
温度精度 分辨率 重复性 |
±3°C 0.1°C 0.1°C |
发射率测量范围 分辨率 重复性 |
0.01 - 1.00 0.001 |
采样时间 |
1ms - 200ms 可选 |
LCD显示, 40 字符 |
带手动键盘 |
测量值 |
E% 发射率值 Tu 测量温度 |
计算值 |
Te 发射率纠正后的实际温度 |
测量目标距离 |
12"- 18" (定焦) ,可根据要求定制 |
目标光斑大小 |
0.25" - 0.40" 可根据要求定制 |
串口通信 |
数字串口 RS-232 模拟输出0-20 mA 或0-5 Vdc (发射率或实际温度测量输出) |
操作模式可选: 远程控制模式 |
PC发出命令控制 |
高速传输模式 |
数据以每秒钟70r的速度(1ms)发给PC,PC计算出发射率值及实际温度值,用于过程控制或数据存储 |
自动模式 |
持续输出发射率及实际温度的值 |
单一模式 |
即时的测量并显示在显示屏上 |
间隔模式 |
除了时间间隔以外,其他与单一模式相同 |
离线模式 |
用于安装和校准 |
仪器附件 |
STD 19" 机箱 19" L x 14.1" D x 5.2" H |
电源需求 |
115Vac/60 Hz 或 220Vac/50Hz |
标准传感器头 |
4.15" Lx2.1"Wx1.45"H |
操作环境条件 |
电路: 15°C - 27°C 传感器头: 0°C-25°C 光纤镜头电缆: 0°C-125°C 非冷凝条件下 |
传感器头配置 |
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A |
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单轴 |
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双轴 |
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双轴 |
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PC |
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电路 |
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